MT40A512M16TD-062E AUT:R vs MT40A512M16JY-083E 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16TD-062E AUT:R 제조: Micron Technology 및 MT40A512M16JY-083E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT40A512M16TD-062E AUT:R MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron

MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron

MT40A512M16TD-062E AUT:R ✓ 활성
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT40A512M16TD-062E AUT:R MT40A512M16JY-083E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs DRAM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.90 $5.85
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Automotive)
메모리 크기 8 Gbit —
메모리 구성 512M x 16 512M x 16
인터페이스 Parallel —
Clock Frequency / Data Rate 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
공급 전압 1.2 V —
패키지 96-FBGA (7.5 x 13 mm) 96-FBGA (8 x 14 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 (AUT grade) —
Packaging Suffix -R (Tape & Reel) —
Speed Grade -062E —
Technology Family DDR4 SDRAM (SDR/DDR family) —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval spec] —
Density — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns)
데이터 속도 — 2400 MT/s (speed grade -083E)
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
I/O Interface — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die internal adjustable generation
Refresh Structure — 8192-cycle refresh
Refresh Window — 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C
ECCN — EAR99
할로겐 프리 — Compliant
Country of Origin — China

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